骇科技丨三星要搞事情:QLC来了、大容量NGSFF SSD、超低延迟Z-SSD V2

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所属分类:PC电脑

三星作为半导体行业老大,为了保持自身的优势也是操碎了心,今天就发布了关于未来存储产品的一些规划。明年三星将会量产单芯片1Tb(128GB)容量V-NAND闪存颗粒,年底量产16TB的NGSFF SSD,系统响应时间更快的Z-SSD,全新的Key Value SSD。

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三星3D垂直闪存V-NAND量产于2013年,至今也有四年多的历史,凭借这个三星才得以走在其他公司前列中。目前V-NAND已经发展到第四代,已经开始批量生产64层堆叠的256Gb(64GB)V-NAND闪存颗粒,更快的传输速率、更低的功耗、更快响应时间都是V-NAND型闪存所追求的。

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三星宣布明年将会准备量产单芯片1Tb的V-NAND闪存颗粒,那么目前的第四代已经是64层堆叠才能达到256Gb容量,明年量产的第五代依靠的是什么?没错,就是你们不愿意见到的QLC,也就是一个Cell里面存储4比特位的信息,容量提高了,带来的副作用就是速度、寿命的下降。我们希望明年三星的QLC产品可以有一个比较合理的容量、性能、寿命。

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在服务器上,三星为其准备了NGSFF (Next Generation Small Form Factor) 规格SSD,主要是适用于1U的服务器上,可以提高了服务器存储数据容量和IOPS。我们都知道M.2 SSD标准有个规范名字叫NGFF,那么NGSFF是不是意味着尺寸更小,其实反而更胖了,具体规格为30.5mm x 110mm x 4.38mm,第一批NGSFF SSD将会在今年第三季度出货。

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在去年引入Z-NAND之后,三星推出了第一款Z-SSD产品SZ985,Z-SSD采用的3D V-NAND芯片拥有"独特的电路设计",同时搭配经过调整的控制器,能够提供远超其它V-NAND SSD的速度表现,延迟水平仅相当于其它V-NAND SSD的四分之一。第二代的Z-NAND延迟将会更低,适用于数据密集型环境,例如大数据分析、充当高性能服务器的缓存部分。相比普通NVMe SSD,Z-SSD可以减少12倍系统延迟。

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最后三星还提到就会有一个全新技术产品Key Value SSD,专攻大数据解决方案。砍掉了不必要的硬件层,减少多余的访问步骤,使得应用程序可以直接访问到闪存颗粒,提高效率,并且可以提供SSD读写性能、容量。

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