骇科技丨Intel迟到的10nm工艺终于要来了,并展望物理极限3nm

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所属分类:PC电脑

Intel今天在北京举行了精尖制造日大会,会议上Intel正式向我们宣布了10nm制程一些技术细节,并且在全球范围内首次展出10nm的晶圆。Intel表示自家的10nm工艺有信心完全胜过台积电、三星,另外还可能提供更加优秀的制程性能提升,而7nm工艺技术研发已经完成,并展望3nm极限工艺。

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虽然Intel的10nm工艺来得晚,台积电、三星两家均已经进入了量产阶段,并且也有实际产品在市面流通,例如高通骁龙835 SoC。不过我们都知道台积电和三星在工艺制程命名上耍小聪明,也就是“数字”压制,在一些关键技术参数上都是落后于Intel技术指标的,之前的14nmm就出现过。

而这次Intel主动公布出三家10nm工艺相关技术参数指标,我们看到Intel在这些关键性技术指标上都是吊打其余两家,例如由于intel 10nm光刻技术制造出来的鳍片、栅极间隔更小,因此在晶体管密度上几乎是台积电、三星的两倍,达到了每平方毫米1亿个晶体管,同时保持了逻辑单元高度低的优良传统,在3D堆叠上更有优势。

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Intel即将发布的桌面级第八代酷睿代号为Coffee Lake依然是使用14nm工艺制造,14nm在Intel上已经整整用了三代之久,看来Intel在研发10nm工艺上花费了大力气才搞出来,以至于推出时间一拖再拖。10nm工艺最早应该会用在低功耗移动平台上,代号为Cannon Lake的处理器上,桌面版的代号应该就是Ice Lake无疑。

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此外Intel在现场全球首秀了10nm晶圆,还介绍了Intel在工艺上的技术路线图,在路线图中显示10nm、7nm技术已经完成了研发,但是尚未投产。而Intel已经对于硅基半导体极限工艺5nm、3nm进行前沿探索中,其中包括了一些比较先进、前沿具有探索性质的技术,包括了纳米线晶体管、III-V族晶体管,3D堆叠、密集内存、密集互联、EUV团成形、神经元计算以及自旋电子学。这些项目有可能将会成为研发5/7nm工艺的关键性技术。

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