骇科技丨国家存储器基地项目一号生产及动力厂房提前封顶:投资1600亿

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据中证网报道,9月28日上午10时,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房,实现提前封顶。这标志着开工9个月的国家存储器基地项目建设向前迈出了坚实一步。

骇科技丨国家存储器基地项目一号生产及动力厂房提前封顶:投资1600亿

据悉,国家存储器基地项目位于武汉东湖高新(600133,股吧)区的武汉未来科技城,项目一期规划投资240亿美元(约合人民币1600亿美元),占地面积1968亩,于2016年12月30日正式开工建设,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash生产厂房,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。

此次提前封顶的项目(一期)一号生产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡,预计将于2018年投入使用。项目(一期)达产后,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

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